研究テーマ
1.「半導体-金属系の超薄膜生成過程と 界面反応素過程の研究」
2.「ダイヤモンドの初期薄膜成長過程と界面構造のCVD-FIMによる研究」
3.「ダイヤモンド状カーボン（DLC）膜の成長と界面構造の研究」
研究内容
半導体-金属系の界面構造と界面反応素過程を超高真空用原子分解電解電子・イオン顕微鏡により研究する。
また、マイクロ波プラズマ気相化学成長法（MPCVD）法により、ダイヤモンド成長薄膜の初期成長過程と界面構造、及びダイヤモンド状カーボン成長薄膜の成長過程と界面構造について研究する。
研究スタッフ
指導教員：奥野教授
卒研生：大久保重利、田中勝志、篠崎翔一、江頭威夫貴、宮崎達郎
院生：吉田昌平
右図：(a)プラズマCVD法によるW-tip状に成長したダイヤモンド前駆体イオン像
(b)ダイヤモンド成長層からの電解電子像
(c)ダイヤモンド組織であることをラマンス分析
下図：蒸着シリコン原子と下地タングステン原子面との熱反応後のイオン像（左図）
反応層を取り除いた後に現れた下地原子面（中央図）とその状況を示すモデル図（右図）
長崎総合科学大学 教授
博士（理学） 奥野 公夫
〒851-0193 長崎市網場町536
TEL: (095) 838-5196
FAX: (095) 830-1126
E-mail:OKUNO_Kimio@NIAS.ac.jp
博士（理学） 奥野 公夫
〒851-0193 長崎市網場町536
TEL: (095) 838-5196
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E-mail:OKUNO_Kimio@NIAS.ac.jp